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MTM231100LBF DM 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-12V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-4A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.03Ω @-1A,-4V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.3--1.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
500mW/0.5W |
| Description & Applications |
Features Low voltage drive (1.8 V, 2.5 V, 4 V) Realization of low on-resistance, using extremely ?ne process Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. Eco-friendly Halogen-free package |
| 描述与应用 |
低电压驱动（1.8 V，2.5 V，4 V） 实现低导通电阻，用极其精细的过程 集小型化，减少元件数量。 环保无卤素封装 |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| MTM231230LS0 |
BL |
Panasonic |
07+ROHS |
SOT-323/SC70 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| MTM231230L |
BL |
Panasonic |
07+NOPB |
SOT-323/SC70 |
2000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| MTM261100L |
9B |
Panasonic |
06+NOPB |
SOT-363 |
1800 |
场效应管FET-其它Other |
查看 |
| MTM231100LBF |
DM |
Panasonic |
13+ROHS |
SOT-323/SC70 |
9000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| MTM2311OOL |
DM |
Panasonic |
09NOPB |
SOT-323/SC70 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
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