EMX1DXV6T1 3X9 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
180MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120~560 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
400mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
500mW |
| Description & Applications |
Features ? Dual NPN General Purpose Amplifier Transistor ? Reduces Board Space ? High hFE, 210?460 (Typical) ? Low VCE(sat), < 0.5 V ? These are Pb?Free Devices |
| 描述与应用 |
特点 ?双NPN通用晶体管放大器 ?缩小板级空间 ?高HFE，210-460（典型值） ?低VCE（SAT），<0.5 V ?这些都是Pb-Free设备 |
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