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ES6U42
 型号：  ES6U42
 标记/丝印/代码/打字：  U42
 厂家：  ROHM
 封装：  SOT-563/WEMT6
 批号：  09NOPB
 库存数量：  1000
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET+DIODE
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ES6U42 U42 的参数
MOSFET 类型 Type P沟道 P-Channel
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage -12V
最大漏极电流Id Drain Current -1A
源漏极导通电阻Rds(on) Drain-Source On-State Resistance 390m?@ VGS =-4.5V, ID =-1A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.7~-2.0V
DIODE 类型 Type 肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes
反向电压Vr Reverse Voltage 20V
平均整流电流Io Average Rectified Current 500mA/0.5A
最大正向压降VF Forward Voltage(Vf) 0.52V@IF=500mA
耗散功率Pd Power Dissipation 800mW/0.8W
Description & Applications 2.5V Drive Pch+SBD MOSFET Features 1) Pch MOSFET and schottky barrier diode are put in WEMT6 package. 2) High-speed switching, Low On-resistance. 3) Low voltage drive (2.5V drive). 4) Built-in Low VF schottky barrier diode. Applications Switching
描述与应用 2.5V驱动PCH+ SBD MOSFET 特点 1）P沟道MOSFET和肖特基势垒二极管放在在WEMT6封装。 2）高速开关，低导通电阻。 3）低电压驱动（2.5V驱动器）。 4）内置低VF肖特基势垒二极管。 应用 交换
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