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QS6M4
 型号：  QS6M4
 标记/丝印/代码/打字：  M04
 厂家：  ROHM
 封装：  SOT-163/SOT23-6/TSMT6
 批号：  04+NOPB
 库存数量：  2000
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel
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QS6M4 M04 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 30V/-20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V/12V
最大漏极电流Id Drain Current 1.5A/-1.5A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 360m?@ VGS =2.5V, ID =1A/430m?@ VGS =-2.5V, ID =-0.75A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.5~1.5V/-0.7~-2V
耗散功率Pd Power Dissipation 1.25W
Description & Applications Small switching Features The QS6M4 combines Pch Trench MOSFET with a Nch Trench MOSFET in a single TSMT6 package. Pch Trench MOSFET and Nch Trench MOSFET have a low on-state resistance with a fast switching. Applications Load switch, inverter
描述与应用 小开关 特点 的QS6M4结合TSMT6包在一个单一的一个N沟道沟道MOSFET的P沟道沟道MOSFET。 ?P沟道沟道MOSFET和N沟道沟道MOSFET具有低导通电阻与快速切换。 应用 负荷开关，逆变器
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