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RT2C00M
 型号：  RT2C00M
 标记/丝印/代码/打字：  LE
 厂家：  MITSUBISHI
 封装：  SOT-353
 批号：  08NOPB
 库存数量：  3000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    NPN+NPN
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RT2C00M LE 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 6V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 200mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 200MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 150~800
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 300mV
耗散功率Pc Power Dissipation 150mW
Description & Applications Features ? COMPOSITE TRANSISTOR FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE ? Silicon npn epitaxial type Each transistor elements are independent. ? Mini package for easy mounting APPLICATION ? For low frequency amplify application
描述与应用 特点 ?复合晶体管低频放大应用 硅NPN外延型 ?硅NPN外延型，每个晶体管的元素是独立的。 ?易于安装的小型封装 应用 ?对于低频放大应用
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