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NSTB1005DXV5T1G
 型号：  NSTB1005DXV5T1G
 标记/丝印/代码/打字：  UCL
 厂家：  ON
 封装：  SOT-553
 批号：  06NOPB
 库存数量：  8000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合带阻尼三极管Complex Bipolar Digital Transistor
    NPN+PNP
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NSTB1005DXV5T1G UCL 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) -50V/50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) -50V/50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) -100mA/100mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 47KΩ/Ohm
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ/Ohm
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio 1
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 47KΩ/Ohm
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ/Ohm
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 1
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 140
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
耗散功率Pc Power Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications Features ?Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors ?NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network ?Simplifies Circuit Design ?Reduces Board Space ?Reduces Component Count ?Available in 8 mm, 7 inch Tape and Reel ?Lead Free
描述与应用 特点 ?双共基极 - 集电极偏置电阻晶体管 ?NPN和PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 ?简化电路设计 ?缩小板级空间 ?减少元件数 ?8毫米，7英寸磁带和卷轴 ?对无铅要求
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