US5U29 U29 的参数 |
| MOSFET 类型
Type |
P沟道 P-Channel |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
1A |
| 源漏极导通电阻Rds(on)
Drain-Source On-State Resistance |
390m?@ VGS = -4.5V, ID = -1A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.7~-2.0V |
| DIODE 类型
Type |
肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
20V |
| 平均整流电流Io
Average Rectified Current |
700mA/0.7A |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
0.49V@IF=700mA |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1W |
| Description & Applications |
Small switching (–20V, –1.5A) ●Features 1) The US5U29 conbines Pch MOSFET with a Schottky barrier diode in a single TUMT5 package 2) Pch MOSFET have a low on-state resistance with a fast switching. 3) Pch MOSFET is reacted a low voltage drive(2.5V) 4) The Independently connected Schottky barrier diode have a low forward voltate ●Applications Load switch, DC/DC conversion ●Structure Silicon P-channel MOSFET Schottky Barrier DIODE |
| 描述与应用 |
小开关（-20V，-1.5A） ●产品特点 1）US5U29 conbines P沟道MOSFET的 在一个单一的TUMT5封装的肖特基势垒二极管 2）P沟道MOSFET具有低导通电阻 具有高速开关。 3）反应，P沟道MOSFET的低电压驱动（2.5V） 4）自主连接的肖特基势垒二极管 有一个低正向voltate ●应用范围 负载开关，DC/ DC转换 ●结构 硅P沟道MOSFET 肖特基势垒二极管 |
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