2SK3547GOL 5F 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
50V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
7V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
100mA/0.1A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
6Ω/Ohm @10mA,4V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.9-1.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
100mW/0.1W |
| Description & Applications |
Silicon Junction FETs (Small Signal) Silicon N-Channel MOSFET For switching Features Silicon n-channel MOSFET For switching High-speed switching Wide frequency band Gate-protection diode built-in |
| 描述与应用 |
硅结场效应晶体管（小信号） 硅N沟道MOSFET的开关 特性 硅N沟道MOSFET 对于开关 高速开关 宽的频率频段 内置栅极保护二极管 |
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