2SK210-BL YL 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
18v |
| 栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage |
-18v |
| 漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current |
12~24ma |
| 关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage |
-1.2~-3v |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
100mW/0.1W |
| Description & Applications |
?Silicon N-Channel Junction FET High Power Gain :Gps=24dB(Typ.) (f=100MHz) Low Noise Figure :NF = 1.8dB(Typ.) (f=100MHz) High Forward Transfer Admitance : |Yfs|: |Yfs| = 7 mS (typ.) (f=1kHz) |
| 描述与应用 |
?硅N沟道结型场效应管 高功率增益：GPS =24分贝（典型值）（F =100MHz时） 低噪声系数：NF=1.8分贝（典型值）（F =100MHz时） |
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