MTM86627A QK 的参数 |
| MOSFET 类型
Type |
P沟道 P-Channel |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-10V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-2A |
| 源漏极导通电阻Rds(on)
Drain-Source On-State Resistance |
120m?@ VGS = -4.0V, ID =-1A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.4~-1.1V |
| DIODE 类型
Type |
肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
20V |
| 平均整流电流Io
Average Rectified Current |
800mA/0.8A |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
0.47V@IF=800mA |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
540mW/0.54W |
| Description & Applications |
silicon P-channel MOS FET (FET) silicon epitaxial planar type (SBD) For DC-DC converter For switching circuits Feature Bulit-in schottky barrier diode Low drive voltage Low drain-source ON resistance Small package |
| 描述与应用 |
硅P沟道MOS场效应晶体管（FET） 硅外延平面型（SBD） 用于DC-DC转换 对于开关电路 特点 内置的肖特基势垒二极管 驱动电压低 低漏源导通电阻 小型封装 |
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