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PUMH9
 型号：  PUMH9
 标记/丝印/代码/打字：  Ht9
 厂家：  NXP/PHILIPS
 封装：  SOT-363/SC-88
 批号：  06NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    NPN+NPN
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PUMH9 Ht9 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 100
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 100mV
耗散功率Pc Power Dissipation 300mW
Description & Applications Features ? NPN resistor-equipped double transistor ? Transistors with built-in bias resistors (R1 typ. 10 k? and R2 typ. 47 k?) ? No mutual interference between the transistors ? Simplification of circuit design ? Reduces number of components and board space. APPLICATIONS ? Especially suitable for space reduction in interface and driver circuits ? Inverter circuit configurations without use of external resistors.
描述与应用 特点 ?NPN电阻配备双晶体管 ?晶体管内置偏置电阻（R1典型值10kΩ和R2典型值47kΩ的。） ?晶体管之间没有相互干扰 ?简化电路设计 ?减少元件数量和电路板空间。 应用 ?特别适用于空间减少接口和驱动电路 ?逆变器电路配置，而无需使用外部电阻器。
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