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IRF5852TR
 型号：  IRF5852TR
 标记/丝印/代码/打字：  EE
 厂家：  IR
 封装：  SOT-163/SOT23-6
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双N沟道MOSFET Dual N-Channel
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IRF5852TR EE 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current 2.7A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 120m?@ VGS = 2.5V, ID = 2.2A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.6~1.25V
耗散功率Pd Power Dissipation 960mW/0.96W
Description & Applications Ultra Low On-Resistance Dual N-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Low Gate Charge
描述与应用 超低导通电阻 双N沟道MOSFET 表面贴装 可在磁带和卷轴 低栅极电荷
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