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2SJ506STR J506 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-10A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.065Ω @-5A,-10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.0--2.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
20W |
| Description & Applications |
Features ? Low on-resistance RDS(on)= 0.065 ? typ. (at VGS = –10V, ID = 5A) ? Low drive current ? High speed switching ? 4V gate drive devices. |
| 描述与应用 |
?低导通电阻 RDS（ON）=0.065Ω（典型值）。 VGS=10V，ID=-5A） ?低驱动电流 ?高速开关 ?4V栅极驱动装置 |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SJ501 |
EM |
SANYO |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
0 |
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| 2SJ501 |
EM |
SANYO |
00+ |
SOT-23/SC-59 |
382 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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| 2SJ502 |
FM |
SANYO |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
180050 |
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| 2SJ502 |
FM |
SANYO |
05+ |
SOT-23/SC-59 |
39000 |
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| 2SJ503 |
J503 |
SANYO |
05+ |
T0-252/TP-FA |
800 |
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| 2SJ506STR |
J506 |
HITACHI |
05+ |
TO-252/DPAK |
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| 2SJ506STR |
J506 |
HITACHI |
05+ |
TO-252/DPAK |
0 |
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| 2SJ508 |
ZE |
TOSHIBA |
0709NOPB |
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| 2SJ508 |
ZE |
TOSHIBA |
07NOPB200 |
SOT-89/SC-62 |
400 |
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