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HN2S03FU A8 的参数 |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
25V |
| 平均整流电流Io
AVerage Rectified Current |
50mA |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
550mV/0.55V |
| 最大耗散功率Pd
Power dissipation |
200MW/0.2W |
| Description & Applications |
High Speed Switching Applications HN2S03FE is composed of 3 independent Schottky Barrie diodes. Low forward voltage : VF (3)= 0.50V (typ.) Low reverse current : IR= 0.5μA (max) Small total capacitance : CT = 3.9pF (typ.) |
| 描述与应用 |
高速开关 HN2S03FE是由3个独立的肖特基二极管并排。 低正向电压VF（3）=0.50V（典型值） 低反向电流：IR=0.5μA（最大值） 小总电容：CT=3.9pF（典型值） |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| HN2S03FU |
A8 |
TOSHIBA |
02+ |
SOT-363/US6/SC70-6 |
0 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-3个管独立式3 Independent |
查看 |
| HN2S03T |
A7 |
TOSHIBA |
12+ROHS |
SOT-743/TESQ |
180500 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-2个管独立式2 Independent |
查看 |
| HN2S03FU |
A8 |
TOSHIBA |
02+ |
SOT-363/US6/SC70-6 |
0 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-3个管独立式3 Independent |
查看 |
| HN2S03FE |
A8 |
TOSHIBA |
10NOPB |
SOT-563/ES6 |
0 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-3个管独立式3 Independent |
查看 |
| HN2S03FE |
A8 |
TOSHIBA |
1024nopb |
SOT-563/ES6 |
0 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-3个管独立式3 Independent |
查看 |
| HN2S03T |
A7 |
TOSHIBA |
12+rohs |
SOT-743/TESQ |
0 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-2个管独立式2 Independent |
查看 |
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