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TPCP8901
 型号：  TPCP8901
 标记/丝印/代码/打字：  8901
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  PS-8
 批号：  12+ROHS
 库存数量：  4200
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    NPN+PNP
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TPCP8901 8901 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 100V/-50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V/-50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 1A/-800mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 200~500/400~1000
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 170mV/-200mV
耗散功率Pc Power Dissipation 830mW
Description & Applications Features ? TOSHIBA Transistor Silicon NPN / PNP Epitaxial Type (PCT Process) ? Small footprint due to small and thin package ? High DC current gain : PNP hFE = 200 to 500 (IC = ?0.1 A) :NPN hFE = 400 to 1000 (IC = 0.1 A) ? Low collector-emitter saturation : PNP VCE (sat) = ?0.20 V (max) : NPN VCE (sat) = 0.17 V (max) ? High-speed switching : PNP tf = 70 ns (typ.) : NPN tf = 85 ns (typ.) ? Portable Equipment Applications ? Switching Applications
描述与应用 特点 ?东芝晶体管的硅NPN/ PNP外延型（PCT工艺） ?由于占地面积小，小而薄的包装 ?高直流电流增益：PNP HFE=200?500（IC= -0.1）：NPN HFE=400至1000（IC=0.1 A） ?低集电极 - 发射极饱和：PNP VCE（sat）=-0.20 V（最大值）：NPN VCE（sat）= 0.17 V（最大值） ?高速开关：PNP TF=70 ns（典型值）：NPN TF=85 ns（典型值） ?便携式设备的应用 ?开关应用
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