2SK3325B-ZK-E2-AY K3325B 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
500V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
30V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
10A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.68Ω/Ohm @5A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
2.5-3.5V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.5W |
| Description & Applications |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Features SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Low gate charge:QG = 22 nC TYP. (VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 10 A) Gate voltage rating: ±30 V Low on-state resistanceRDS(on) = 0.85 ? MAX(VGS = 10 V, ID = 5.0 A) Avalanche capability ratings TO-220AB, TO-262, TO-263 package |
| 描述与应用 |
MOS场效应晶体管 开关N沟道功率MOS FET工业用途特性 开关 N-沟道功率MOS FET 工业用途 低栅极电荷：QG=22 NC TYP。 （VDD= 400 V，VGS=10 V，ID=10 A） 门的额定电压：±30 V 的低通态resistanceRDS，（上）=0.85Ω最大（VGS=10 V，ID=5.0 A） 雪崩能力额定值 TO-220AB，TO-262，TO-263封装 |
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