MMBF170-7 K6Z 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
500mA/0.5A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.05Ω/Ohm @200mA,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.8-3.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
300mW/0.3W |
| Description & Applications |
Power MOSFET 500 mA, 60 V N?Channel SOT?23 Features High density cell design for low RDS(ON) .Voltage controlled small signal switch. Rugged and reliable. High saturation current capability. |
| 描述与应用 |
功率MOSFET 500毫安，60 V N沟道SOT-23 高密度电池设计的低RDS（ON） 电压控制小信号开关 坚固，可靠。 高饱和电流能力 |
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