HN3C02F WB 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
15V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
50mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
2400MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
40~200 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
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| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
300mW |
| Description & Applications |
Features ? TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) ? Including two devices in SM6(super mini type with 6 leads) ? High transition Frequency |
| 描述与应用 |
特点 ?东芝晶体管的硅NPN外延式（PCT的进程） ?包括两个设备在SM6（超迷你型6引线） ?高转换频率 |
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