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EMH1
 型号：  EMH1
 标记/丝印/代码/打字：  H1
 厂家：  ROHM
 封装：  SOT-563/EMT6
 批号：  09NOPB
 库存数量：  1710
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合带阻尼三极管Complex Bipolar Digital Transistor
    NPN+NPN
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EMH1 H1 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 40V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 30mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 22KΩ/Ohm
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 22KΩ/Ohm
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio 1
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 22KΩ/Ohm
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 22KΩ/Ohm
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 1
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 250MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications Features ?General purpose (dual digital transistors) ?Two DTC124E chips in a EMT or UMT or SMT package
描述与应用 特点 ?通用（双数字晶体管） ?两个DTC124E在EMT或UMT或SMT封装的芯片
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