BC847ALT1 1E 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
45V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA/0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
110~220 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
200~600 mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
225mW/0.225W |
| Description & Applications |
General Purpose Transistors NPN Silicon Features ? Moisture Sensitivity Level: 1 ? ESD Rating ? Human Body Model: >4000 V ESD Rating ? Machine Model: >400 V ? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant |
| 描述与应用 |
通用晶体管 NPN硅 特点 ?湿度敏感度等级：1 ?ESD额定值 - 人体模型：>4000 V ESD额定值 - 机器型号：> 400 V ?这些器件是无铅，无卤素，无 BFR |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
