HN1B04F 50 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-35V/35V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-30V/30V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-500mA/500mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
200MHz/300MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
70~400 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
-100mV/100mV |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
300mW |
| Description & Applications |
Features ? TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Q1: ? Excellent hFE linearity : hFE(2)= 25 (min) at VCE = ?6V, IC = ?400mA Q2: ? Excellent hFE linearity : hFE(2) = 25 (min) at VCE = 6V, IC = 400mA ? Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications ? Driver Stage Amplifier Applications ? Switching application |
| 描述与应用 |
特点 ?东芝晶体管的硅PNP外延型硅NPN外延型（PCT工艺）（PCT工艺） Q1： ?优秀的HFE线性：HFE（2）=25（分钟）在VCE=6V，IC=-400毫安 Q2： ?优秀的HFE线性：HFE（2）=25（分钟）VCE=6V，IC=400毫安 ?音频通用放大器应用 ?驱动器级放大器的应用 ?开关应用 |
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