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2SJ647 H22 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-0.4A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
1.17Ω @-2A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.8--1.8V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
FEATURES ?2.5 V drive available ?Low on-state resistance RDS(on)1 = 1.45 ? MAX. (VGS = ?4.5 V,ID?0.2A) RDS(on)2 = 1.55 ? MAX. (VGS = ?4.0 V, ID = ?0.2 A) DS(on)3 = 2.98 ? MAX. (VGS = ?2.5 V, ID = ?0.15 A) |
| 描述与应用 |
?2.5 V驱动器可用 ?低通态电阻 的RDS（on）1 =1.45Ω最大。 （VGS= -4.5 V，ID-0.2A） 的RDS（on）2 =1.55Ω最大。 （VGS= -4.0 V，ID= -0.2） DS（上）3=2.98Ω最大。 （VGS= -2.5 V，ID= -0.15） |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| 2SJ646 |
J646 |
SANYO |
05+PB |
TO-252/DPAK/TP-FA |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| 2SJ647 |
H22 |
NEC |
05+ |
SOT-323/SC70 |
3000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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| 2SJ648 |
H1 |
NEC |
04+nopb |
SOT-523 |
2000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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| 2SJ647 |
H22 |
NEC |
10+ROHS |
SOT-323/SC70 |
5700 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
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| 2SJ646 |
J646 |
SANYO |
06nopb |
TO-252/DPAK/TP-FA |
0 |
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