BC817-40 6C 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
45V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
500mA/0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
170MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
250~630 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
700mV/0.7V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
330mW/0.33W |
| Description & Applications |
NPN Silicon AF Transistors For general AF applications High collector current High current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: B C 807 B C 808 (PNP) |
| 描述与应用 |
NPN硅晶体管自动对焦 对于一般AF应用 高集电极电流 高电流增益 低集电极 - 发射极饱和电压，低管压降 互补类型：B C807 B C808（PNP） |
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