SCH2808-S-TL-E QH 的参数 |
| MOSFET 类型
Type |
N沟道 N-Channel |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
1.4A |
| 源漏极导通电阻Rds(on)
Drain-Source On-State Resistance |
300m?@ VGS =10V, ID =700mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1.2~2.6V |
| DIODE 类型
Type |
肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
30V |
| 平均整流电流Io
Average Rectified Current |
500mA/0.5A |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
0.42V@IF=500mA |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
600mW/0.6W |
| Description & Applications |
MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode Features ? Composite type with an N-channel silicon MOSFET (SCH1412) and a schottky barrier diode (SS0503) contained in one package facilitating high-density mounting. [MOSFET] ?Low ON-resistance. ?Ultrahigh-speed switching. ?4V drive. [SBD] ? Short reverse recovery time. ?Low forward voltage. |
| 描述与应用 |
MOSFET N-沟道硅MOSFET SBD：肖特基二极管 特点 ?复合型与N沟道硅MOSFET（SCH1412）和肖特基势垒二极管（SS05003）包含在一个包装促进高密度安装的。 [MOSFET] ?低导通电阻。 ?超高速开关。 ?4V驱动器。 [SBD] ?反向恢复时间短。 ?低正向电压。 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
