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HN4C06J-GR
 型号：  HN4C06J-GR
 标记/丝印/代码/打字：  DG
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-153/SMV
 批号：  0805NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    NPN+NPN
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HN4C06J-GR DG 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 120V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 120V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 100MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 200~700
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 300mV
耗散功率Pc Power Dissipation 300mW
Description & Applications Features ? TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) ? High voltage : VCEO = 120V ? High hFE : hFE = 200~700 ? Excellent hFE linearity : hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95 (typ.) ? Low noise : NF = 1dB(typ.) ? Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications
描述与应用 特点 ?东芝晶体管的硅NPN外延式（PCT的进程） ?高电压：VCEO=120V ?高HFE：HFE=200?700 ?优异的线性度：（IC=0.1毫安）/ HFE（IC=2毫安）=0.95（典型值） ?低噪音：NF=1分贝（典型值） ?音频通用放大器应用
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