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2SC3583
 型号：  2SC3583
 标记/丝印/代码/打字：  R34
 厂家：  NEC
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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2SC3583 R34 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 10V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 65mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 9Ghz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 80~160
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率Pc Power Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSIStOR Description The 2SC3583 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. The 2SC3585 features excellent power gain with very low-noise figures. The2SC3585 employs direct nitride passivated base surface process (DNPprocess) which is an NEC proprietary new fabrication technique which provides excellent noise figures at high current values. This allows excellent associated gain and very wide dynamic range.
描述与应用 微波低噪声放大器 NPN硅外延晶体管 描述 2SC3583 NPN外延硅晶体管为使用VHF频段UHF频段的低噪声和小信号放大器的设计。 2SC3585具有良好的功率增益非常低噪声数字。 The2SC3585采用直接氮化物钝化基面过程（DNPprocess）这是一个NEC专有的新的制造技术，提供极佳的噪声在高电流值的数字。这使得相关的收益和优异的动态范围很宽。
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 相关型号列表
型号 标记/丝印/代码 厂家 批号 封装 数量 描述 详细资料
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