MMBT5087LT1G 2Q 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?50V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-50mA |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
40MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
250~800 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-300mV/-0.3V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
225mW/0.225W |
| Description & Applications |
Low Noise Transistor PNP Silicon Features ? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant |
| 描述与应用 |
低噪声晶体管PNP硅 特点 ?这些器件是无铅，无卤/无BFR，并符合RoHS标准 |
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