RSB6.8G F7 的参数 |
| 极性
Polarization |
双向 Bidirectional |
| 反向关断电压/工作电压VRWM
Reverse Standoff Voltage |
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| 反向击穿电压VBR
Breakdown Voltage |
6.8V |
| 峰值脉冲耗散功率PPPM
Peak Pulse Power Dissipation |
10W |
| 峰值脉冲电流IPPm
Peak Forward Surge Current |
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| 额定耗散功率Pd
Power dissipation |
0.1W/100mW |
| Description & Applications |
Features ? bi Direction ESD Protection Diode (Silicon Epitaxial Planer) ? Ultra small mold type (VMD2) ? High reliability ? Bi chip-mounter, automatic mounting is possible. |
| 描述与应用 |
特点 ?双方向ESD保护二极管（硅外延刨床） ?超小型模具类型（VMD2） ?高可靠性 ?双芯片贴片机，自动安装是可能的。 |
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