|
|
|
|
|
|
|
SI1551DL RD 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
20V/-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
12V/12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
290mA/-410mA |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
4.2?@ VGS =2.5V, ID =100mA/1.8?@ VGS =-2.5V, ID =-250mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
1V/-1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
270mW/0.27W |
| Description & Applications |
Complementary 20-V (D-S) MOSFET |
| 描述与应用 |
互补的20-V（D-S） 的MOSFET |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
|
|
|
|
|
相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| SI1553DL |
RAY |
VISHAY |
05+07NOPB2200 |
SOT-363/SC70-6 |
4700 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel |
查看 |
| SI1555DL-T1-GE3 |
RBW |
VISHAY |
11+ROHS |
SOT-363/SC70-6 |
0 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel |
查看 |
| SI1551DL |
RD |
VISHAY |
08NOPB |
SOT-363/SC70-6 |
0 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel |
查看 |
| SI1551DL |
KD |
VISHAY |
08+rohs |
SOT-363/SC70-6 |
0 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel |
查看 |
| SI1555DL-T1-GE3 |
RB |
VISHAY |
11+ROHS |
SOT-363/SC70-6 |
0 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET N沟道+P沟道MOSFET N-Channel and P-Channel |
查看 |
|
|
|
