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MMBFJ211
 型号：  MMBFJ211
 标记/丝印/代码/打字：  G2W
 厂家：  FAIRCHILD
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  10NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel
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MMBFJ211 G2W 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 25v
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -25v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 7~20ma
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage -2.5~-4.5v
耗散功率Pd Power Dissipation 225mW/0.225W
Description & Applications N-Channel RF Amplifier This device is designed for HF/VHF mixer/amplifier and applications where Process 50 is not adequate. Sufficient gain and low noise for sensitive receivers.
描述与应用 N沟道射频放大器 该设备是专为HF/ VHF混频器/放大器和 应用程序的方法50是不足够的。足够 增益和低噪声敏感的接收器。
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