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FFB5551
 型号：  FFB5551
 标记/丝印/代码/打字：  P1
 厂家：  FAIRCHILD
 封装：  SOT-363/SC70-6
 批号：  10NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合三极管Complex Bipolar Transistor
    NPN+NPN
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FFB5551 P1 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 180V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 160V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 200mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 300MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 250
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 200mV
耗散功率Pc Power Dissipation 300mW
Description & Applications Features ? Dual-Chip NPN General Purpose Amplifier ? This device is deisgned for general purpose high voltage amplifiers. ? E1 is Pin 1.
描述与应用 特点 ?双芯片NPN通用放大器 ?这的设备deisgned通用高电压放大器。 ?E1是引脚1
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