NZT651 651 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
80V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
60V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
4A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
75MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
40~75 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
300mV/0.3V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
1.2W |
| Description & Applications |
NPN Current Driver Transistor This device is designed for power amplifier, regulator and switching circuits where speed is important. Sourced from Process 4P. |
| 描述与应用 |
NPN电流驱动晶体管 这个装置是专为功率放大器，稳压器和开关 电路的速度是很重要的 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
