SCH2810-S-TL-E QK 的参数 |
| MOSFET 类型
Type |
P沟道 P-Channel |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-12V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-12V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-1.3A |
| 源漏极导通电阻Rds(on)
Drain-Source On-State Resistance |
270m?@ VGS =-10V, ID =-700mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.0~-2.4V |
| DIODE 类型
Type |
肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
15V |
| 平均整流电流Io
Average Rectified Current |
500mA/0.5A |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
0.46V@IF=500mA |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
600mW/0.6W |
| Description & Applications |
MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode Features Composite type with a P-channel sillicon MOSFET and a Schottky barrier diode contained in one package facilitating high-density mounting. [MOSFET] ?Low ON-resistance. ?Ultrahigh-speed switching. ?4V drive. [SBD] ? Short reverse recovery time. ?Low forward voltage. |
| 描述与应用 |
MOSFET：P沟道硅MOSFET SBD：肖特基二极管 特点 复合型的P-通道硅MOSFET和肖特基势垒二极管中包含一个包装促进高密度安装。 [MOSFET] ?低导通电阻。 ?超高速开关。 ?4V驱动器。 [SBD] ?反向恢复时间短。 ?低正向电压。 |
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