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MCH6305 JE 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-4A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.05 @-2A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.4--1.4V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.5W |
| Description & Applications |
Features ? Low ON resistance. ? Ultrahigh-speed switching. ? 2.5V drive. |
| 描述与应用 |
?低导通电阻。 ?超高速开关。 ?2.5V驱动 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| MCH6301 |
JA |
SANYO |
05+ |
SOT-363/SC70-6/MCPH6 |
800 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| MCH6305 |
JE |
SANYO |
05+NOPB64K |
SOT-363/SC70-6/MCPH6 |
80290 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| MCH6307 |
JG |
SANYO |
05+NOPB800 |
SOT-363/SC70-6/MCPH6 |
4400 |
场效应管FET-复合场效应管Complex FET-MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel |
查看 |
| MCH6308 |
JH |
SANYO |
05NOPB |
SOT-363/SC70-6/MCPH6 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| MCH6305 |
JE |
SANYO |
06+NOPB |
SOT-363/SC70-6/MCPH6 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| MCH6308 |
JH |
SANYO |
05+ROHS |
SOT-363/SC70-6/MCPH6 |
20500 |
场效应管FET |
查看 |
| MCH6307 |
JG |
SANYO |
05+ |
SOT-363/SC70-6/MCPH6 |
0 |
场效应管FET |
查看 |
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