|
|
|
|
|
|
|
BSP295 BSP295 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
50V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
14V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
7.2A |
| 源漏极导通电阻ΩRds
DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance |
0.3Ω/Ohm @1.8A,10V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
0.8-2V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
1.8W |
| Description & Applications |
? N channel ? Enhancement mode ? Logic Level ? VGS(th) = 0.8...2.0V |
| 描述与应用 |
?N通道 ?增强模式 ?逻辑电平 ?VGS（TH）=0.8 ...2.0V |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
|
|
|
|
|
相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| BSP295 |
S591 |
SIEMENS |
05+ |
SOT-223 |
0 |
场效应管FET-其它Other |
查看 |
| BSP296 |
BSP296 |
INFINEON |
05+ |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
1000 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BSP296 |
BSP296 |
INFINEON |
05+ |
SOT-223 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| BSP297 |
BSP297 |
SIEMENS |
05+ |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
| BSP295 |
BSP295 |
SIEMENS |
05+ |
SOT-223/SC-73/TO261-4 |
422 |
场效应管FET-MOSFET-N沟道MOSFET N-Channel |
查看 |
|
|
|
