BC807-25/DG/B2 WZW 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
?50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
?45V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
?500mA/-0.5A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
80MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
160~400 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
?700mV/-0.7V |
| 耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
250mW/0.25W |
| Description & Applications |
General Purpose Transistors Features High current Low voltage Applications General-purpose switching and amplification |
| 描述与应用 |
通用晶体管PNP硅 特点 高电流 低电压 应用 通用的开关和放大 |
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