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SI3445ADV C5P 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-8V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
8V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-5.8A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance |
0.034Ω @-3.3A,-4.5V |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.45V-1.0V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
2W |
| Description & Applications |
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| 描述与应用 |
P沟道1.8-V（G-S）的MOSFET |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| SI3445 |
45 |
VISHAY |
05+ |
SOT-163/SOT23-6/TSOP6 |
1700 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SI3445DV |
45 |
VISHAY |
10+ROHS |
SOT-163/SOT23-6/TSOP6 |
198700 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SI3445ADV |
C5P |
VISHAY |
10NOPB |
SOT-163/SOT23-6/TSOP6 |
138000 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SI3445ADV |
C5P |
VISHAY |
10nopb |
SOT-163/SOT23-6/TSOP6 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
| SI3445DV |
45 |
VISHAY |
10NOPB |
SOT-163/SOT23-6/TSOP6 |
0 |
场效应管FET-MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel |
查看 |
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