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RN1907FE
 型号：  RN1907FE
 标记/丝印/代码/打字：  XH
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  SOT-563/ES6
 批号：  12+ROHS
 库存数量：  155000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  复合带阻尼三极管Complex Bipolar Digital Transistor
    NPN+NPN
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RN1907FE XH 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 100mA
Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 10KΩ/Ohm
Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ/Ohm
Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio 0.21
Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) 10KΩ/Ohm
Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) 47KΩ/Ohm
Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio 0.21
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 80
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 250MHz
耗散功率Pc Power Dissipation 100mW/0.1W
Description & Applications Features ? TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) ? Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. ? Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.Reducing the parts count enables the manufacture of ever more compact equipment and lowers assembly cost. ? Complementary to RN2907FE to RN2909FE APPLICATIONS ? Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
描述与应用 特点 ?东芝晶体管的硅NPN外延式（PCT的进程）（偏置电阻内置晶体管）?两个设备都纳入一个极端超迷你（6针）封装。 ?将偏置电阻晶体管，减少了部件数量。减少部件数量，使能制造的更加紧凑的设备，并降低装配成本。 ?互补RN2907FE的到RN2909FE 应用 ?开关，逆变电路，接口电路和驱动器电路应用
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