CPH5852 YE 的参数 |
| MOSFET 类型
Type |
P沟道 P-Channel |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
-20V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-2A |
| 源漏极导通电阻Rds(on)
Drain-Source On-State Resistance |
145m?@ VGS =10V, ID =1A |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-1.2~-2.6V |
| DIODE 类型
Type |
肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
30V |
| 平均整流电流Io
Average Rectified Current |
1A |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
0.45V@IF=700mA |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
900mW/0.9W |
| Description & Applications |
General-Purpose Switching Device Applications MOSFET :P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode Features ? DC / DC converters. ? Composite type with a N-Channel Silicon MOSFET (MCH3406) and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained in one package facilitating high-density mounting. ? [MOS] ? Low ON-resistance. ? Ultrahigh-speed switching. ? 4V drive. ? [SBD] ? Short reverse recovery time. ? Low forward voltage. |
| 描述与应用 |
通用开关设备应用 MOSFET：P沟道硅MOSFET SBD：肖特基二极管 特点 ?，DC/ DC转换器。 ?复合型与N沟道硅MOSFET（MCH3406）一个肖特基二极管（SBS010M），包含在一个包装促进高密度安装的。 ?[马鞍山] ?低导通电阻。 ?超高速开关。 ?4V驱动器。 ?[SBD] ?反向恢复时间短。 ?低正向电压。 |
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