PMSTA42 t1D 的参数 |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
300V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
300V |
| 集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
100mA/0.1A |
| 截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
50MHz |
| 直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
40 |
| 管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
500mV/0.5V |
| 耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
NPN high-voltage transistors FEATURES ? High current (max. 500 mA) ? High voltage (max. 200 V). APPLICATIONS ? High-voltage switching in telephony applications. DESCRIPTION NPN high-voltage transistor in a SOT323 plastic package. |
| 描述与应用 |
NPN高电压晶体管 特点 ?高电流（最大500毫安） ?高电压（最大200 V）。 应用 ?在电话应用高压开关。 说明 NPN高压晶体管在SOT323塑料包装。 |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
