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LBSS84LT1G
 型号：  LBSS84LT1G
 标记/丝印/代码/打字：  PD
 厂家：  LRC
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  06NOPB
 库存数量：  500
 所属分类：  场效应管FET
  MOSFET-P沟道MOSFET P-Channel
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LBSS84LT1G PD 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 12V
最大漏极电流Id Drain Current -0.13A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 5.0Ω @100mA,5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.8--2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation 225mW/0.225W
Description & Applications Power MOSFET 130 mAmps, 50 Volts P–Channel SOT–23 Energy Efficient Miniature SOT–23 Surface Mount Package Saves Board Space
描述与应用 功率MOSFET 130毫安，50伏 P沟道SOT-23 高效节能 微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间
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