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MMBFJ112
 型号：  MMBFJ112
 标记/丝印/代码/打字：  GR
 厂家：  FAIRCHILD
 封装：  SOT-23/SC-59
 批号：  10NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  结型（JFET）-N沟道JFET N-Channel
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MMBFJ112 GR 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 35v
栅源极击穿电压V(BR)GS Gate-Source Voltage -35v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS Drain Current 5ma
关断电压Vgs(off) Gate-Source Cut-off Voltage -1~-5v
耗散功率Pd Power Dissipation 350mW/0.35W
Description & Applications N-Channel Switch This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers.
描述与应用 N沟道开关 该设备是专为低级别的模拟开关，采样 保持电路和斩波稳定放大器。
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