SSM6P16FE DT 的参数 |
| 最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage |
-20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage |
10V |
| 最大漏极电流Id
Drain Current |
-100mA/-0.1A |
| 源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance |
8?@ VGS = -4V, ID = -10mA |
| 开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage |
-0.6~-1.1V |
| 耗散功率Pd
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications ? Small package ? Low on-resistance : Ron = 8 Ω (max) (@VGS = ?4 V) : Ron = 12 Ω (max) (@VGS = ?2.5 V) : Ron = 45 Ω (max) (@VGS = ?1.5 V) |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型 高速开关应用 模拟开关应用 ?小型封装 ?低导通电阻：RON= 8Ω（最大）（@ VGS=-4 V） ：R0N= 12Ω（最大）（@ VGS= -2.5 V） ：R0N上= 45Ω（最大值）（@ VGS=-1.5 V） |
| 技术文档PDF下载 |
在线阅读  |
