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2SC5209
 型号：  2SC5209
 标记/丝印/代码/打字：  RK
 厂家：  MITSUBISHI
 封装：  SOT-89
 批号：  07/09NOPB
 库存数量：  2000
 所属分类：  三极管Bipolar Junction Transistors(BJT)
  NPN
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2SC5209 RK 的参数
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) 6V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) 1A
截止频率fT Transtion Frequency(fT) 130MHz
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) 600~1200
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage 150mV/0.15V
耗散功率Pc Power Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications relay drive power supply application silicon NPN epitaxial type description 2SC5209 is a silicon NPN epitaxial type transistor. it designed with high voltage,high collector current and hig hFE features * high voltage Vceo=50V * small collector to emitter saturation voltage * high hFE hFE=600~1800 * small package for mounting application audio machine，VCR，relay drive of other electronic machine，power supply
描述与应用 继电器驱动电源中的应用 NPN硅外延型 描述 2SC5209硅NPN外延型晶体管。它的设计与高电压，高集电极电流和较高HFE 特点 *高电压VCEO= 50V *小集电极到发射极饱和电压 *高HFE HFE=600?1800 *安装包小 应用 音频机，录像机，继电器驱动等电子整机，电源
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