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TPCF8B01
 型号：  TPCF8B01
 标记/丝印/代码/打字：  F8A
 厂家：  TOSHIBA
 封装：  1206-8/vs-8
 批号：  07nopb
 库存数量：  5600
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET+DIODE
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TPCF8B01 F8A 的参数
MOSFET 类型 Type P沟道 P-Channel
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage 8V
最大漏极电流Id Drain Current -2.7A
源漏极导通电阻Rds(on) Drain-Source On-State Resistance 110m?@ VGS = -4.5V, ID = -1.4mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.5~-1.2V
DIODE 类型 Type 肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes
反向电压Vr Reverse Voltage 20V
平均整流电流Io Average Rectified Current 1A
最大正向压降VF Forward Voltage(Vf) 0.46V@IF=1A
耗散功率Pd Power Dissipation 530mW/0.53W
Description & Applications TOSHIBA Multi-Chip Device Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III) / Schottky Barrier Diode Notebook PC Applications Portable Equipment Applications · Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 72 mù (typ.) · High forward transfer admittance: |Yfs| = 4.7 S (typ.) · Low leakage current: IDSS = -10 ìA (max) (VDS = -20 V) · Enhancement-model: Vth = -0.5 to -1.2 V(VDS =-10 V, ID = -200 ìA) · Low forward voltage: VFM = 0.46V(typ.)
描述与应用 东芝多芯片器件硅P沟道MOS类型（U-MOS III）/肖特基势垒二极管 笔记本电脑应用 便携式设备的应用 ·低漏源导通电阻RDS（ON）=72亩（典型值） ·高正向转移导纳：| YFS|=4.7 S（典型值） ·低漏电流IDSS=-10 IA（最大）（VDS=-20 V） ·增强模型：Vth =-0.5?-1.2 V（VDS= -10 V，ID=-200 IA） ·低正向电压：VFM=0.46V（典型值）
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