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BR24L01AFVM-WTR L01 的参数 |
| 存储器格式
Format - Memory |
EEPROMs - 串行 EEPROMs - Serial |
| 存储器类型
Memory Type |
EEPROM |
| 存储容量
Memory Size |
1K (128 x 8) |
| 速度
Speed |
400kHz |
| 接口
Interface |
I2C，2 线串口 I2C, 2-Wire Serial |
| 电源电压
Voltage - Supply |
1.8 V ~ 5.5 V |
| Description & Applications |
AK93C45A / 55A / 65A / 75A 1K / 2K / 4K / 8Kbit Serial CMOS EEPROM Features 1) 128 registers × 8 bits serial architecture. 2) Single power supply (1.8V to 5.5V). 3) Two wire serial interface. 4) Self-timed write cycle with automatic erase. 5) 8 byte page write mode. 6) Low power consumption. Write (5V) : 1.2mA (Typ.) Read (5V) : 0.2mA (Typ.) Standby (5V) : 0.1μA (Typ.) 7) DATA security Write protect feature (WP pin) . Inhibit to WRITE at low VCC. 8) Small package - - - DIP8 / SOP8 / SOP-J8 / SSOP-B8 / MSOP-8 9) High reliability EEPROM with Double-Cell Structure 10) High reliability fine pattern CMOS technology. 11) Endurance : 1,000,000 erase / write cycles 12) Data retention : 40 years 13) Filtered inputs in SCL?SDA for noise suppression. 14) Initial data FFh in all address. |
| 描述与应用 |
AK93C45A/55A/65A/75A 1K /2K /4K/串行CMOS EEPROM的8Kbit 1）128个寄存器×8位串行架构。 2）单电源（1.8V至5.5V）。 3）两线串行接口。 4）自定时写周期自动擦除。 5）8字节页写模式。 6）低功耗。 写（5V）：1.2毫安（典型值） 阅读（5V）：0.2毫安（典型值） 待机（5V）：0.1μA（典型值） 7）数据安全 写保护功能（WP引脚）。 抑制低VCC写。 8）小包装--- DIP8/ SOP8/ SOP-J8/ SSOP-B8/ MSOP-8 9）高可靠性的EEPROM的双单元结构 10）高可靠性的精细图案CMOS技术。 11）耐力：1,000,000擦除/写周期 12）数据可保持40年 13）过滤投入SCL?SDA噪声抑制。 14）初始数据FFh的所有地址 |
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| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
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封装 |
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详细资料 |
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