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UPS120EE3/TR13 20E 的参数 |
| 反向电压Vr
Reverse Voltage |
20v |
| 平均整流电流Io
AVerage Rectified Current |
1A |
| 最大正向压降VF
Forward Voltage(Vf) |
595mV/0.595V |
| 最大耗散功率Pd
Power dissipation |
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| Description & Applications |
?Low Profile -- Maximum Height of 1.1 mm ?Small Footprint -- Footprint Area of 8.45 mm ?Low VF Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life ?Supplied in 12 mm Tape and Reel -- 12,000 Units per Reel ?Low Thermal Resistance with Direct Thermal Path of Die on Exposed ?Cathode Heat Sink |
| 描述与应用 |
?薄型 - 最大高度为1.1毫米 ?占地面积小 ?低VF提供更高的效率和延长电池寿命 ?提供12毫米编带和卷轴每卷 - 12,000单位 ?低热阻裸露的直接散热路径模具 |
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在线阅读  |
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相关型号列表 |
| 型号 |
标记/丝印/代码 |
厂家 |
批号 |
封装 |
数量 |
描述 |
详细资料 |
| UPS120E |
20E |
MICROSEMI |
05+ |
457-04 |
600 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| UPS5817 |
S17 |
MICROSEMI |
05+ |
457-04 |
0 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| UPS5817 |
S17 |
MICROSEMI |
05+ |
457-04 |
15055 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| UPS5819 |
S19 |
MICRO |
05+ |
457-04 |
1000 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| UPS5819 |
S19 |
MICRO |
05+ |
457-04 |
0 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| UPS120EE3/TR13 |
20E |
MICROSEMI |
10+ROHS |
457-04 |
9268 |
二极管Diodes-肖特基势垒二极管SBDSchottky Barrier Diodes-单管Single |
查看 |
| UPS120EE3/TR13 |
20E |
MICROSEMI |
10+ROHS |
457-04 |
72300 |
二极管Diodes |
查看 |
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