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QS6U24
 型号：  QS6U24
 标记/丝印/代码/打字：  U24
 厂家：  ROHM
 封装：  SOT-163/SOT23-6/TSMT6
 批号：  05+
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET+DIODE
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QS6U24 U24 的参数
MOSFET 类型 Type P沟道 P-Channel
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage -20V
最大漏极电流Id Drain Current 1A
源漏极导通电阻Rds(on) Drain-Source On-State Resistance 400m?@ VGS =-10V, ID =-1A
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -1.0~-2.5V
DIODE 类型 Type 肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes
反向电压Vr Reverse Voltage 20V
平均整流电流Io Average Rectified Current 700mA/0.7A
最大正向压降VF Forward Voltage(Vf) 0.49V@IF=700mA
耗散功率Pd Power Dissipation 900mW/0.9W
Description & Applications 4V Drive Pch+SBD MOS FET Features 1) The QS6U24 combines Pch MOS FET with a Schottky barrier diode in a TSMT6 package. 2) Low on-state resisternce with a fast switching. 3) Low voltage drive (4V). 4) Built-in schottky barrier diode has low forward voltage. Applications Load switch, DC/DC conversion
描述与应用 4V驱动P沟道+ SBD MOS FET的 特点 1）QS6U24结合P沟道MOS FET的 TSMT6封装的肖特基势垒二极管。 2）低通态resisternce的具有高速开关。 3）低电压驱动（4V）。 4）内置的肖特基势垒二极管具有低正向电压。 应用 负载开关，DC/ DC转换
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