ESDA6V1-5M6 J 的参数 |
极性
Polarization |
单向 Unidirectional |
反向关断电压/工作电压VRWM
Reverse Standoff Voltage |
3V |
反向击穿电压VBR
Breakdown Voltage |
6.6V |
峰值脉冲耗散功率PPPM
Peak Pulse Power Dissipation |
100W |
峰值脉冲电流IPPm
Peak Forward Surge Current |
8A |
额定耗散功率Pd
Power dissipation |
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Description & Applications |
4- and 5-line Transil? arrays for ESD protection;Features ? High ESD protection level ? High integration ? Suitable for high density boards ? 4 unidirectional Transil diodes (ESDA6V1M6) ? 5 unidirectional Transil diodes (ESDA6V1-5M6) ? Breakdown Voltage VBR = 6.1 V min ? High peak power dissipation: 100 Watts 8/20 μs ? Low leakage current < 500 nA ? Low diode capacitance (70 pF typ at 0 V) ? Very small PCB area: 1.45 mm2 ? 500 microns pitch ? Lead-free package |
描述与应用 |
4 - 和5 - 线的Transil?ESD保护阵列;特性 ? 高ESD保护水平 ? 高集成度 ? 适用于高密度电路板 ? 4单向TRANSIL二极管(ESDA6V1M6) ? 5单向TRANSIL二极管(ESDA6V1-5M6) ? 击穿电压VBR=6.1 V最小 ? 高峰值功耗:100瓦8/20μs的 ? 低漏电流<500 NA ? 低电容二极管(70 pF(典型值)为0 V) ? 非常小的PCB面积:1.45毫米2 ? 500微米间距 ? 无铅封装 |
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