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MTM6841109SO
 型号：  MTM6841109SO
 标记/丝印/代码/打字：  1d
 厂家：  Panasonic
 封装：  1206-8/vs-8
 批号：  09NOPB
 库存数量：  0
 所属分类：  场效应管FET
  复合场效应管Complex FET
    MOSFET 双P沟道MOSFET Dual P-Channel
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MTM6841109SO 1d 的参数
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage -12V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage -8V
最大漏极电流Id Drain Current -4.8A
源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State Resistance 60m?@ VGS = -1.8V, ID = -200mA
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage -0.3~-1V
耗散功率Pd Power Dissipation 1W
Description & Applications For load switch circuits For switching circuits Feature Dual P-channel MOS FET in one package Low drive voltage:1.8V drive
描述与应用 对于负载开关电路 对于开关电路 特点 双P沟道MOS场效应管在一个封装中 低驱动电压：1.8V驱动
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